巨大突破，IBM宣布用最新工艺制造5纳米芯片
作者：admin 发表时间：2017-11-03 浏览：30 海淘动态
北京6月6日电(记者房琳琳)IBM日前在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了300亿个5纳米晶体管。据美国电气和电子工程师协会(IEEE)《光谱》杂志6日报道，这一出色表现有望挽救濒临极限的摩尔定律，使电子元件继续朝着更小、更经济的方向发展。目前最先进的晶体管是finFET，以芯片表面投射的载硫硅片翅片状隆起而命名，其革命性突破的关键在于，在三维结构而非二维平面上控制电流的传递。这种设计可应用于10纳米甚至7纳米节点芯片。但是，随着芯片尺寸越来越小，电流变得愈发难以关闭，即使使用这种先进的三面门结构，仍会发生电子泄漏。半导体行业一直致力于打造5纳米节点替代方案。IBM此次宣布的最新结构中，每个晶体管由三层堆叠的水平薄片组成，每片只有几纳米厚度，完全被栅极包围，能防止电子泄漏并节省电力，被称为全包围门结构。IBM的半导体技术和研究副总裁马克斯·凯尔表示，我们认为新结构将成为继finFET之后的普遍结构，它代表了晶体管的未来。报道称，IBM公司用多年时间研究制造堆叠纳米芯片工艺技术和材料，此前流行的电子束光刻工艺对于批量生产而言过于昂贵，而即将投入生产的5纳米芯片，将使用工艺成本有所降低的极光紫外光刻技术。新型芯片虽然只有指甲大小，其上却能集成300亿个晶体管，在与10纳米芯片进行对比的测试中发现，在给定功率下，其性能可提升40%;在同等效率下，5纳米芯片可以节省74%电能。IBM计划与三星公司及全球制造商共同合作，生产5纳米节点测试芯片，并提供给全球客户，在未来几年内满足日益增长的市场需求，为自动驾驶、人工智能和5G网络的实现铺路。总编辑圈点摩尔定律在二十年前就被唱衰，但直到现在，半导体工程师们仍然发扬钉子精神，从方寸地腾出无限空间。就好像水力压裂法可以从看似无利用价值的岩石中释放海量天然气，新半导体工艺仍在硅片上大有用武之地。下游消费计算力的人也应珍惜和善用芯片，让手机和电脑成为我们的好助手，而不是麻烦制造者。
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